Справочник MOSFET. ZXMN6A07ZTA

 

ZXMN6A07ZTA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZXMN6A07ZTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для ZXMN6A07ZTA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMN6A07ZTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:527K  zetex
 zxmn6a07zta.pdf pdf_icon

ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07Z60V SOT89 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 2.5600.350 @ VGS= 4.5V 2.1DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS

 ..2. Size:852K  cn vbsemi
 zxmn6a07zta.pdf pdf_icon

ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07ZTAwww.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwi

 5.1. Size:530K  diodes
 zxmn6a07z.pdf pdf_icon

ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07Z60V SOT89 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 2.5600.350 @ VGS= 4.5V 2.1DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS

 6.1. Size:531K  diodes
 zxmn6a07f.pdf pdf_icon

ZXMN6A07ZTA

ZXMN6A07F60V SOT23 N-channel enhancement mode mosfetSummaryV(BR)DSS RDS(on) ( ) ID (A)0.250 @ VGS= 10V 1.4600.350 @ VGS= 4.5V 1.2DescriptionDThis new generation trench MOSFET from Zetex utilizes a uniquestructure combining the benefits of low on-state resistance with fastswitching speed.GFeaturesS Low on-resistance Fast switching speed Low thresholdS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMN3B04N8TC , ZXMN3B14FTA , ZXMN3F30FHTA , ZXMN4A06GQ , ZXMN4A06GTA , ZXMN4A06KTC , ZXMN6A07FTA , ZXMN6A07FTC , STP65NF06 , ZXMN6A08E6Q , ZXMN6A08E6TA , ZXMN6A08E6TC , ZXMN6A08GTA , ZXMN6A08KTC , ZXMN6A09GTA , ZXMN6A09KTC , ZXMN6A11GTA .

History: AP6N2R0P | BUK6209-30C | NX3008PBKS | HAT2089R | GSM2319AS | IXTA20N65X

 

 
Back to Top

 


 
.