ZXMP2120FFTA - описание и поиск аналогов

 

ZXMP2120FFTA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZXMP2120FFTA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.137 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 28 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ZXMP2120FFTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZXMP2120FFTA даташит

 ..1. Size:413K  zetex
 zxmp2120ffta.pdf pdf_icon

ZXMP2120FFTA

ZXMP2120FF 200V SOT23F P-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (mA) -200 28 @ VGS= -10V -137 Description This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and freedom from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from

 4.1. Size:417K  diodes
 zxmp2120ff.pdf pdf_icon

ZXMP2120FFTA

ZXMP2120FF 200V SOT23F P-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS RDS(on) ( )ID (mA) -200 28 @ VGS= -10V -137 Description This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and freedom from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from

 6.1. Size:386K  diodes
 zxmp2120e5.pdf pdf_icon

ZXMP2120FFTA

ZXMP2120E5 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS =-200V; RDS(ON) = 28 ; ID = -122mA DESCRIPTION This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device inclu

 6.2. Size:416K  diodes
 zxmp2120g4.pdf pdf_icon

ZXMP2120FFTA

ZXMP2120G4 200V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS =-200V; RDS(ON) = 25 ; ID = 200mA DESCRIPTION This 200V enhancement mode P-channel MOSFET provides users with a competitive specification offering efficient power handling capability, high impedance and is free from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown. Applications benefiting from this device includ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ZXMNS3BM832TA , ZXMP10A13FTA , ZXMP10A16KTC , ZXMP10A17E6Q , ZXMP10A17E6TA , ZXMP10A18GTA , ZXMP10A18KTC , ZXMP2120E5TA , 50N06 , ZXMP2120G4TA , ZXMP3A13FTA , ZXMP3A16GTA , ZXMP3A16N8TA , ZXMP3A17E6TA , ZXMP3F30FHTA , ZXMP4A16GTA , ZXMP4A16KTC .

History: IRLS3034-7PPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.