Справочник MOSFET. ZXMP3F30FHTA

 

ZXMP3F30FHTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZXMP3F30FHTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для ZXMP3F30FHTA

 

 

ZXMP3F30FHTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  tysemi
 zxmp3f30fh zxmp3f30fhta.pdf

ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA

Product specificationZXMP3F30FH 30V SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary V(BR)DSS (V) RDS(on) () ID (A) 0.080 @ VGS= -10V -4.0-30 0.140 @ VGS= -4.5VDescription This new generation Trench MOSFET from TY has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance. Features Low on-resistance Fast swi

 4.1. Size:1473K  cn vbsemi
 zxmp3f30fh.pdf

ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F30FHwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-

 7.1. Size:244K  diodes
 zxmp3f35n8.pdf

ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F35N8 30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS (V) RDS(on) () ID(A) -30 0.012 @ VGS=-10V -17.10.018 @ VGS=-4.5VDescription This new generation Trench MOSFET from Zetex has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance making it ideal for battery protection and reverse connection application

 7.2. Size:247K  diodes
 zxmp3f36n8.pdf

ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F36N8 30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS (V) RDS(on) () ID(A) -30 0.020 @ VGS=-10V -12.60.028 @ VGS=-4.5VDescription This new generation Trench MOSFET from Zetex has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance. Features Low on-resistance SO8 package Applications B

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top