Справочник MOSFET. ZXMP3F30FHTA

 

ZXMP3F30FHTA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ZXMP3F30FHTA
   Маркировка: KPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.95 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 1.2 nC
   Время нарастания (tr): 2.6 ns
   Выходная емкость (Cd): 72 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для ZXMP3F30FHTA

 

 

ZXMP3F30FHTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  tysemi
zxmp3f30fh zxmp3f30fhta.pdf

ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA

Product specificationZXMP3F30FH 30V SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Summary V(BR)DSS (V) RDS(on) () ID (A) 0.080 @ VGS= -10V -4.0-30 0.140 @ VGS= -4.5VDescription This new generation Trench MOSFET from TY has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance. Features Low on-resistance Fast swi

 4.1. Size:1473K  cn vbsemi
zxmp3f30fh.pdf

ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F30FHwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-

 7.1. Size:244K  diodes
zxmp3f35n8.pdf

ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F35N8 30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS (V) RDS(on) () ID(A) -30 0.012 @ VGS=-10V -17.10.018 @ VGS=-4.5VDescription This new generation Trench MOSFET from Zetex has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance making it ideal for battery protection and reverse connection application

 7.2. Size:247K  diodes
zxmp3f36n8.pdf

ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F36N8 30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET Summary V(BR)DSS (V) RDS(on) () ID(A) -30 0.020 @ VGS=-10V -12.60.028 @ VGS=-4.5VDescription This new generation Trench MOSFET from Zetex has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance. Features Low on-resistance SO8 package Applications B

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top