ZXMP4A57E6TA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZXMP4A57E6TA
Маркировка: 4A57
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT-26
Аналог (замена) для ZXMP4A57E6TA
ZXMP4A57E6TA Datasheet (PDF)
zxmp4a57e6ta.pdf

A Product Line ofDiodes IncorporatedZXMP4A57E640V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Fast switching speed ID max Low gate drive V(BR)DSS RDS(on) max TA = 25C Low input capacitance Lead Free, RoHS Compliant (Note 1) 80m @ VGS= -10V -3.7 A Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2) -40V Qu
zxmp4a16g.pdf

ZXMP4A16G40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = -40V: RDS(on) = 0.060 : ID = -6.4ADESCRIPTIONThis new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.SOT223FEATURES Low on-resistanc
zxmp4a16k.pdf

ZXMP4A16K40V P-channel enhancement mode MOSFETSummary V(BR)DSS= -40V; RDS(ON)= 0.060 ID= -9.9ADescription This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications. Features D Low on-resistance
zxmp4a16ktc.pdf

ZXMP4A16K40V P-channel enhancement mode MOSFETSummary V(BR)DSS= -40V; RDS(ON)= 0.060 ID= -9.9ADescription This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications. Features D Low on-resistance
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: F25N10 | F20N60 | F20N50 | F18N65 | F18N50 | F16N65 | F14N65 | F13N50 | F12N60 | DTJ018N04N | DTG050P06LA | DTG045N04NA | DTG025N04NA | DTG023N03L | DTG018N04N | DTE043N04NA
Popular searches
c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet