SI1012R. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI1012R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: SC-75A
Аналог (замена) для SI1012R
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI1012R даташит
si1012r si1012x.pdf
Si1012R, Si1012X Vishay Siliconix N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Gate-Source ESD Protected 2000 V 0.70 at VGS = 4.5 V 600 High-Side Switching 0.85 at VGS = 2.5 V Low On-Resistance 0.7 20 500 Low Threshold 0.8 V (typ.) 1.25 at VGS = 1.8 V 350 Fast Switc
si1012r-x.pdf
Si1012R/X Vishay Siliconix N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 0.70 at VGS = 4.5 V 600 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated Gate-Source ESD Protected 2000 V 0.85 at VGS = 2.5 V 20 500 High-Side Switching 1.25 at VGS = 1.8 V 350 Low On-Resistance 0.7
si1012cr.pdf
Si1012CR Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 1.2 V Rated VDS (V) RDS(on) ( ) ID (mA) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.396 at VGS = 4.5 V 600 Gate-Source ESD Protected 1000 V Material categorization 0.456 at VGS = 2.5 V 500 For definitions of compliance please see 20 0.75 0.546 at VGS = 1.8 V 350 www.vis
si1012.pdf
SI1012 Features Low Threshold ESD Protected Gate Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to
Другие MOSFET... ZXMS6005DT8Q , ZXMS6005SGQ , ZXMS6006DGQ , ZXMS6006DT8Q , ZXMS6006SGQ , SI1002R , SI1011X , SI1012CR , 12N60 , SI1012X , SI1013CX , SI1013R , SI1013X , SI1016CX , SI1021R , SI1022R , SI1023CX .
History: RU1H150S | SI2313 | NTD5804N
History: RU1H150S | SI2313 | NTD5804N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373







