SI1012R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI1012R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 6 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: SC-75A
Аналог (замена) для SI1012R
SI1012R Datasheet (PDF)
si1012r si1012x.pdf
Si1012R, Si1012XVishay SiliconixN-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V RatedVDS (V) RDS(on) ()ID (mA) Gate-Source ESD Protected: 2000 V0.70 at VGS = 4.5 V 600 High-Side Switching0.85 at VGS = 2.5 V Low On-Resistance: 0.7 20 500 Low Threshold: 0.8 V (typ.)1.25 at VGS = 1.8 V 350 Fast Switc
si1012r-x.pdf
Si1012R/XVishay SiliconixN-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition0.70 at VGS = 4.5 V 600 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated Gate-Source ESD Protected: 2000 V0.85 at VGS = 2.5 V 20 500 High-Side Switching1.25 at VGS = 1.8 V 350 Low On-Resistance: 0.7
si1012cr.pdf
Si1012CRVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET: 1.2 V RatedVDS (V) RDS(on) () ID (mA) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.396 at VGS = 4.5 V 600 Gate-Source ESD Protected: 1000 V Material categorization:0.456 at VGS = 2.5 V 500For definitions of compliance please see20 0.750.546 at VGS = 1.8 V 350www.vis
si1012.pdf
SI1012Features Low Threshold ESD Protected Gate Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 N-CHANNEL Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to
Другие MOSFET... ZXMS6005DT8Q , ZXMS6005SGQ , ZXMS6006DGQ , ZXMS6006DT8Q , ZXMS6006SGQ , SI1002R , SI1011X , SI1012CR , 12N60 , SI1012X , SI1013CX , SI1013R , SI1013X , SI1016CX , SI1021R , SI1022R , SI1023CX .
History: SI1013X | SI1025X
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q
Popular searches
2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373








