SI1065X
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI1065X
Маркировка: W*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.236
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.95
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 1.18
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
trⓘ -
Время нарастания: 27
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.156
Ohm
Тип корпуса:
SC-89
Аналог (замена) для SI1065X
SI1065X
Datasheet (PDF)
..1. Size:142K vishay
si1065x.pdf Si1065XVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.156 at VGS = - 4.5 V Material categorization:1.18For definitions of compliance please see0.190 at VGS = - 2.5V - 12 1.07 6.7 nCwww.vishay.com/doc?999120.245 at VGS = - 1.8V 0.49APPLICATIONS Loa
9.1. Size:154K vishay
si1062x.pdf New Product Si1062XVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Gate-Source ESD Protected: 1000 V0.420 at VGS = 4.5 V 0.5 Material categorization:For definitions of compliance please see0.492 at VGS = 2.5 V 0.2www.vishay.com/doc?9991220 1 nC0.597 at VGS = 1.8 V 0.2
9.2. Size:121K vishay
si1069x.pdf Si1069XVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.184 at VGS = - 4.5 V - 0.94 TrenchFET Power MOSFET- 20 4.230.268 at VGS = - 2.5 V - 0.78 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable
9.3. Size:120K vishay
si1067x.pdf Si1067XVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.150 at VGS = - 4.5 V 1.06 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.166 at VGS = - 2.5V 1.0 6.0 100 % Rg Tested0.214 at VGS = - 1.8V 0.49 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load
Другие MOSFET... WPB4002
, FDM15-06KC5
, FQD2N60CTM
, FDM47-06KC5
, FDPF045N10A
, FMD15-06KC5
, FDMS8672S
, FMD21-05QC
, IRFP250N
, FDMS86368F085
, FMD47-06KC5
, FDBL86361F085
, FMK75-01F
, FMM110-015X2F
, FMM150-0075X2F
, FMM22-05PF
, FMM22-06PF
.