Справочник MOSFET. SI1404BDH

 

SI1404BDH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1404BDH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.238 Ohm
   Тип корпуса: SC-70
 

 Аналог (замена) для SI1404BDH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1404BDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  vishay
si1404bd si1404bdh.pdfpdf_icon

SI1404BDH

Si1404BDHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.238 at VGS = 4.5 V 1.9 TrenchFET Power MOSFET30 1.1 nC0.380 at VGS = 2.5 V 1.51 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSC-70 (6-LEADS) Load Switch f

 9.1. Size:259K  vishay
si1401edh.pdfpdf_icon

SI1404BDH

New ProductSi1401EDHVishay SiliconixP-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET0.046 at VGS = - 2.5 V - 4 Typical ESD Performance 1500 V- 12 14.1 nC 100 % Rg Tested0.070 at VGS = - 1.8 V - 4 Compl

 9.2. Size:75K  vishay
si1407dl.pdfpdf_icon

SI1404BDH

Si1407DLVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free 1.8 V RatedAvailable0.130 at VGS = - 4.5 V - 1.8RoHS*- 12 0.170 at VGS = - 2.5 V - 1.5COMPLIANT0.225 at VGS = - 1.8 V - 1.3SOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeOC XX5D 2 DLot Traceabilityand Date Code

 9.3. Size:409K  vishay
si1403dl.pdfpdf_icon

SI1404BDH

Si1403DLNew ProductVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-freeAvailable0.180 at VGS = - 4.5 V 1.5RoHS*- 25 0.200 at VGS = - 3.6 V 1.4COMPLIANT0.265 at VGS = - 2.5 V 1.2SOT-363SC-70 (6-LEADS)D 1 6 DMarking CodeOA XX5D 2 DLot Traceabilityand Date CodeG

Другие MOSFET... SI1315DL , SI1317DL , SI1330EDL , SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , IRF840 , SI1405BDH , SI1405DL , SI1406DH , SI1410EDH , SI1411DH , SI1413DH , SI1413EDH , SI1414DH .

History: NVMFD5C466NL | APT50M50L2LLG | JCS7HN60F

 

 
Back to Top

 


 
.