SI1406DH - описание и поиск аналогов

 

SI1406DH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1406DH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SI1406DH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1406DH даташит

 ..1. Size:229K  vishay
si1406dh.pdfpdf_icon

SI1406DH

Si1406DH Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.065 at VGS = 4.5 V 3.9 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 0.075 at VGS = 2.5 V 20 3.6 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.096 at VGS = 1.8 V 3.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICAT

 9.1. Size:259K  vishay
si1401edh.pdfpdf_icon

SI1406DH

New Product Si1401EDH Vishay Siliconix P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.034 at VGS = - 4.5 V - 4 TrenchFET Power MOSFET 0.046 at VGS = - 2.5 V - 4 Typical ESD Performance 1500 V - 12 14.1 nC 100 % Rg Tested 0.070 at VGS = - 1.8 V - 4 Compl

 9.2. Size:75K  vishay
si1407dl.pdfpdf_icon

SI1406DH

Si1407DL Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) Pb-free 1.8 V Rated Available 0.130 at VGS = - 4.5 V - 1.8 RoHS* - 12 0.170 at VGS = - 2.5 V - 1.5 COMPLIANT 0.225 at VGS = - 1.8 V - 1.3 SOT-363 SC-70 (6-LEADS) D 1 6 D Marking Code OC XX 5 D 2 D Lot Traceability and Date Code

 9.3. Size:409K  vishay
si1403dl.pdfpdf_icon

SI1406DH

Si1403DL New Product Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) Pb-free Available 0.180 at VGS = - 4.5 V 1.5 RoHS* - 25 0.200 at VGS = - 3.6 V 1.4 COMPLIANT 0.265 at VGS = - 2.5 V 1.2 SOT-363 SC-70 (6-LEADS) D 1 6 D Marking Code OA XX 5 D 2 D Lot Traceability and Date Code G

Другие MOSFET... SI1400DL , SI1401EDH , SI1402DH , SI1403BDL , SI1403CDL , SI1404BDH , SI1405BDH , SI1405DL , IRF540 , SI1410EDH , SI1411DH , SI1413DH , SI1413EDH , SI1414DH , SI1416EDH , SI1417EDH , SI1419DH .

History: SI1414DH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.