Справочник MOSFET. SI1426DH

 

SI1426DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1426DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для SI1426DH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1426DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
si1426dh.pdfpdf_icon

SI1426DH

Si1426DHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.075 at VGS = 10 V 3.6 TrenchFET Power MOSFET300.115 at VGS = 4.5 V 2.9 Thermally Enhanced SC-70 Package PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Boost Conve

 9.1. Size:261K  vishay
si1422dh.pdfpdf_icon

SI1426DH

New ProductSi1422DHVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.026 at VGS = 4.5 V 4 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested12 0.030 at VGS = 2.5 V 4 7.5 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.036 at VGS = 1.8 V 4APPLICATIONS Loa

 9.2. Size:262K  vishay
si1428edh.pdfpdf_icon

SI1426DH

New ProductSi1428EDHVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 4 TrenchFET Power MOSFET30 0.049 at VGS = 4.5 V 4 4 nC Typical ESD Protection 2000 V HBM0.060 at VGS = 2.5 V 4 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Dire

 9.3. Size:261K  vishay
si1424edh.pdfpdf_icon

SI1426DH

New ProductSi1424EDHVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.033 at VGS = 4.5 V 4 TrenchFET Power MOSFET0.038 at VGS = 2.5 V 4 Typical ESD Protection 4000 V20 6 nC0.045 at VGS = 1.8 V 4 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Direct

Другие MOSFET... SI1413DH , SI1413EDH , SI1414DH , SI1416EDH , SI1417EDH , SI1419DH , SI1422DH , SI1424EDH , AON6414A , SI1427EDH , SI1428EDH , SI1431DH , SI1433DH , SI1441EDH , SI1442DH , SI1443EDH , SI1450DH .

History: DMN95H8D5HCTI | SI1917EDH | NCE60NF200I | QM2606C1 | DMN3065LW | 2SK1725 | MTP4435V8

 

 
Back to Top

 


 
.