SI1488DH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI1488DH
Маркировка: AG*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.95 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 45 ns
Выходная емкость (Cd): 100 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.049 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
SI1488DH Datasheet (PDF)
si1488dh.pdf
Si1488DHVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.049 at VGS = 4.5 V 6.1a TrenchFET Power MOSFET20 0.056 at VGS = 2.5 V 5.7 6.0 100 % Rg and UIS Tested0.065 at VGS = 1.8 V 5.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363
si1480dh.pdf
Si1480DHVishay SiliconixN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.200 at VGS = 10 V 2.6aFor definitions of compliance please see100 1.80.320 at VGS = 4.5 V 2.2www.vishay.com/doc?99912APPLICATIONS Load Switches DC/DC Co
si1489edh.pdf
New ProductSi1489EDHVishay SiliconixP-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.048 at VGS = - 4.5 V - 2.0e TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 2.5 V - 2.0e 100 % Rg Tested0.073 at VGS = - 1.8 V - 2.0e 10.5 nC- 8 Typical ESD Performance 2000 V in HB
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
