Справочник MOSFET. SI1917EDH

 

SI1917EDH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI1917EDH
   Маркировка: DB*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.45 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 710 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для SI1917EDH

 

 

SI1917EDH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  vishay
 si1917edh.pdf

SI1917EDH SI1917EDH

Si1917EDHVishay SiliconixDual P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.370 at VGS = - 4.5 V - 1.15 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated- 12 0.575 at VGS = - 2.5 V - 0.92 ESD Protected: 3000 V0.800 at VGS = - 1.8 V - 0.78 Thermally Enhanced SC-70 Package Comp

 ..2. Size:2146K  cn vbsemi
 si1917edh.pdf

SI1917EDH SI1917EDH

SI1917EDHwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.155 at VGS = - 4.5V - 1.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.235 at VGS = - 2.5 V - 1.5 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSC-70=-6S1 S2S1 1 6 D1G1 G2G1 2 5 G2

 9.1. Size:242K  vishay
 si1913dh.pdf

SI1917EDH SI1917EDH

Si1913DHVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.490 at VGS = - 4.5 V - 1.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated- 20 0.750 at VGS = - 2.5 V - 0.81 Thermally Enhanced SC-70 Package 1.10 at VGS = - 1.8 V - 0.67 Compliant to RoHS Directive 2002/9

 9.2. Size:249K  vishay
 si1912edh.pdf

SI1917EDH SI1917EDH

Si1912EDHVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.280 at VGS = 4.5 V 1.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated20 0.360 at VGS = 2.5 V 1.13 ESD Protected: 2000 V0.450 at VGS = 1.8 V 1.0 Thermally Enhanced SC-70 Package Compliant to RoHS D

 9.3. Size:251K  vishay
 si1913edh.pdf

SI1917EDH SI1917EDH

Si1913EDHVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.490 at VGS = - 4.5 V - 1.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated- 20 0.750 at VGS = - 2.5 V - 0.81 ESD Protected: 3000 V1.1 at VGS = - 1.8 V - 0.67 Thermally Enhanced SC-70 Package Complia

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top