SI1926DL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI1926DL
Маркировка: PD*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.34 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.37 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 7.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
SI1926DL Datasheet (PDF)
si1926dl.pdf
Si1926DLVishay SiliconixDual N-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition1.4 at VGS = 10 V 0.37 TrenchFET Power MOSFET60 0.47 100 % Rg Tested3.0 at VGS = 4.5 V 0.25 ESD Protected: 1800 V Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSOT-363
si1922edh.pdf
Si1922EDHVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.198 at VGS = 4.5 V 1.3a 100 % Rg Tested20 0.225 at VGS = 2.5 V 1.3a 0.9 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM0.263 at VGS = 1.8 V 1.3a Compliant to RoHS Di
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
