SI1926DL - описание и поиск аналогов

 

SI1926DL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1926DL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для SI1926DL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1926DL даташит

 ..1. Size:225K  vishay
 si1926dl.pdf pdf_icon

SI1926DL

 9.1. Size:256K  vishay
 si1922edh.pdf pdf_icon

SI1926DL

Si1922EDH Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.198 at VGS = 4.5 V 1.3a 100 % Rg Tested 20 0.225 at VGS = 2.5 V 1.3a 0.9 nC Typical ESD Protection 2100 V HBM 0.263 at VGS = 1.8 V 1.3a Compliant to RoHS Di

Другие MOSFET... SI1555DL , SI1563DH , SI1563EDH , SI1865DDL , SI1869DH , SI1902CDL , SI1917EDH , SI1922EDH , 5N65 , SI1958DH , SI1965DH , SI1967DH , SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP .

History: DM5N65E | RUH1H150T | HYG055N08NS1P | BSC050N03LSG | KDW2503N | BSC067N06LS3G | SWB16N65K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.