SI2302DDS - описание и поиск аналогов

 

SI2302DDS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI2302DDS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для SI2302DDS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2302DDS даташит

 ..1. Size:204K  vishay
si2302dds.pdfpdf_icon

SI2302DDS

Si2302DDS Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.057 at VGS = 4.5 V 2.9 TrenchFET Power MOSFET 20 3.5 0.075 at VGS = 2.5 V 100 % Rg Tested 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switching for Portable Dev

 7.1. Size:257K  philips
si2302ds.pdfpdf_icon

SI2302DDS

SI2302DS N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 20 November 2001 Product data M3D088 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability SI2302DS in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount packa

 7.2. Size:64K  vishay
si2302ds.pdfpdf_icon

SI2302DDS

Si2302DS Vishay Siliconix N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.085 @ VGS = 4.5 V 2.8 20 20 0.115 @ VGS = 2.5 V 2.4 TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2302DS (A2)* *Marking Code ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V V Gate-Source Voltage VGS "8 TA= 25_

 7.3. Size:1471K  kexin
si2302ds-3.pdfpdf_icon

SI2302DDS

SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET SI2302DS (KI2302DS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS=20V RDS(on)= 85m @VGS=4.5V ,ID=3.6A RDS(on)= 115m @VGS=2.5V ,ID=3.1A 1 2 +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 G 1 3 D 1. Gate S 2 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Un

Другие MOSFET... SI1972DH , SI2202 , SI2300DS , SI2301CDS , SI2301-TP , SI2302ADS , SI2302ADS-T1 , SI2302CDS , BS170 , SI2302-TP , SI2303CDS , SI2304BDS , SI2304DDS , SI2305ADS , SI2305CDS , SI2306BDS , SI2307CDS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.