Справочник MOSFET. SI3424BDV

 

SI3424BDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3424BDV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3424BDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
 si3424bdv.pdf pdf_icon

SI3424BDV

Si3424BDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET30 6.2 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 4.5 V 7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable DevicesTSOP

 6.1. Size:203K  vishay
 si3424bd.pdf pdf_icon

SI3424BDV

Si3424BDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET30 6.2 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 4.5 V 7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable DevicesTSOP

 8.1. Size:180K  vishay
 si3424dv.pdf pdf_icon

SI3424BDV

Si3424DVVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.028 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs300.038 at VGS = 4.5 V 5.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6Top View(1, 2, 5, 6) D1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering I

 8.2. Size:211K  vishay
 si3424cdv.pdf pdf_icon

SI3424BDV

Si3424CDVVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a, b Qg (Typ.)Definition0.026 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET830 4.2 100 % Rg Tested0.032 at VGS = 4.5 V 8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Devices

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.