Справочник MOSFET. SI3442BDV

 

SI3442BDV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI3442BDV
   Маркировка: 2B*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.86 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 75 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.057 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SI3442BDV

 

 

SI3442BDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  vishay
 si3442bdv.pdf

SI3442BDV SI3442BDV

Si3442BDVVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.057 at VGS = 4.5 V 4.2 TrenchFET Power MOSFET200.090 at VGS = 2.5 V 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6(1, 2, 5, 6) DTop View1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering

 6.1. Size:177K  vishay
 si3442bd.pdf

SI3442BDV SI3442BDV

Si3442BDVVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.057 at VGS = 4.5 V 4.2 TrenchFET Power MOSFET200.090 at VGS = 2.5 V 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6(1, 2, 5, 6) DTop View1 63 mm52(3) G3 42.85 mm(4) SOrdering

 8.1. Size:214K  vishay
 si3442cdv.pdf

SI3442BDV SI3442BDV

Si3442CDVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization:0.027 at VGS = 10 V 8dFor definitions of compliance please see20 0.030 at VGS = 4.5 V 7.5 4.3 nCwww.vishay.com/doc?999120.049 at VGS = 2.5 V 6.1APPLICATIONSTSO

 8.2. Size:71K  vishay
 si3442dv.pdf

SI3442BDV SI3442BDV

March 2001 SI3442DV N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel logic level enhancement mode power field4.1 A, 20 V. RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 4.5 Veffect transistors are produced using Fairchild's proprietary,RDS(ON) = 0.075 @ VGS =2.7 V.high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is tai

 8.3. Size:841K  cn vbsemi
 si3442cdv.pdf

SI3442BDV SI3442BDV

SI3442CDVwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/DC

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top