SI3443DDV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI3443DDV
Маркировка: BN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 125 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.047 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
SI3443DDV Datasheet (PDF)
si3443ddv.pdf
Si3443DDVwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a, e Qg (TYP.) PWM optimized0.047 at VGS = -4.5 V -4 100 % Rg tested-20 0.080 at VGS = -2.7 V -4 9 nC Material categorization: 0.090 at VGS = -2.5 V -4For definitions of compliance please see TSOP-6 Singlew
si3443dvpbf.pdf
PD-95240Si3443DVPbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistance A1 6D Dl P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell -2.5V Rated34G SRDS(on) = 0.065l Lead-FreeTop ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per
si3443dv.pdf
PD- 93795ASi3443DVHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceA1 6D D P-Channel MOSFETVDSS = -20V Surface Mount25DD Available in Tape & Reel -2.5V Rated3 4G SRDS(on) = 0.065Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area. This
si3443dv.pdf
April 2001Si3443DVP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETGeneral DescriptionFeatures DS(ON) GS DS(ON) GS
si3443dv.pdf
Si3443DVVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYFEATURESVDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D TrenchFETr Power MOSFETD 100% Rg Tested0.065 @ VGS = -4.5 V -4.50.090 @ VGS = -2.7 V -3.8-200.100 @ VGS = -2.5 V -3.7TSOP-6(4) STop View1 6(3) G3 mm523 42.85 mm(1, 2, 5, 6) DOrdering Information: Si3443DV-T1E3 (Lead Free)P-Channel MOSFETABSOL
si3443dvtr.pdf
PD- 93795BSi3443DVHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6D Dl P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell -2.5V Rated34G SRDS(on) = 0.065Top ViewDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve theextremely low on-resistance per silicon area
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C