SI3447CDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI3447CDV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI3447CDV Datasheet (PDF)
si3447cdv.pdf

Si3447CDVVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = - 4.5 V - 7.8 TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized0.050 at VGS = - 2.5 V - 6.6 12 nC- 12 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.068 at VGS = - 1.8 V - 5.6APPLICATIONS
si3447cd.pdf

Si3447CDVVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = - 4.5 V - 7.8 TrenchFET Power MOSFET PWM Optimized0.050 at VGS = - 2.5 V - 6.6 12 nC- 12 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.068 at VGS = - 1.8 V - 5.6APPLICATIONS
si3447dv.pdf

Si3447DVVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.050 @ VGS = -4.5 V "5.2-12 0.070 @ VGS = -2.5 V "4.40.095 @ VGS = -1.8 V "3.8(4) STSOP-6Top View1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage V
si3447bdv.pdf

Si3447BDVVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.040 at VGS = - 4.5 V - 6.0 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.053 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.2 Ultra Low On-Resistance0.072 at VGS = - 1.8 V - 4.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRLL3303PBF | AP2306CGN-HF | LNC4N80 | STP27N3LH5 | MSD30N06 | MT3203 | KIA4N60H-252
History: IRLL3303PBF | AP2306CGN-HF | LNC4N80 | STP27N3LH5 | MSD30N06 | MT3203 | KIA4N60H-252



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet