Справочник MOSFET. SI3457CDV

 

SI3457CDV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3457CDV
   Маркировка: AT*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3457CDV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3457CDV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  vishay
si3457cdv.pdfpdf_icon

SI3457CDV

New ProductSi3457CDVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.074 at VGS = - 10 V - 5.1 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.113 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop View1 63 mm52(3) GMarking Code

 ..2. Size:1441K  cn vbsemi
si3457cdv.pdfpdf_icon

SI3457CDV

SI3457CDVwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop V iew1 6(3) G3 mm523 4(1, 2, 5, 6) D2.85 mmP-C

 6.1. Size:191K  vishay
si3457cd.pdfpdf_icon

SI3457CDV

New ProductSi3457CDVVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.074 at VGS = - 10 V - 5.1 TrenchFET Power MOSFET- 30 5.1 nC0.113 at VGS = - 4.5 V - 4.1APPLICATIONS Load SwitchTSOP-6(4) STop View1 63 mm52(3) GMarking Code

 8.1. Size:85K  fairchild semi
si3457dv.pdfpdf_icon

SI3457CDV

April 2001 Si3457DV Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel Logic Level MOSFET is produced 4 A, 30 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = 10 V using Fairchilds advanced PowerTrench process. It RDS(ON) = 75 m @ VGS = 4.5 V has been optimized for battery power management applications. Low ga

Другие MOSFET... SI3453DV , SI3454ADV , SI3454CDV , SI3455ADV , SI3456BDV , SI3456CDV , SI3456DDV , SI3457BDV , SPP20N60C3 , SI3458BDV , SI3459BDV , SI3460DDV , SI3460DV , SI3464DV , SI3465DV , SI3467DV , SI3473CDV .

History: STP90N6F6 | SI3458BDV | SI3464DV | IXKC25N80C

 

 
Back to Top

 


 
.