Справочник MOSFET. SI3460DV

 

SI3460DV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI3460DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для SI3460DV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI3460DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  vishay
 si3460dv.pdf pdf_icon

SI3460DV

Si3460DVVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.027 at VGS = 4.5 V 6.8 TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = 2.5 V 20 6.3 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 1.8 V 5.7 Compliant to RoHS directive 2002/95/ECTSOP-6(1, 2, 5, 6) DTop View1 6

 0.1. Size:862K  cn vbsemi
 si3460dv-t1.pdf pdf_icon

SI3460DV

SI3460DV-T1www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/

 7.1. Size:612K  vishay
 si3460dd si3460ddv.pdf pdf_icon

SI3460DV

Si3460DDVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V 7.9 TrenchFET Power MOSFET20 0.032 at VGS = 2.5 V 7.4 6.7 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.038 at VGS = 1.8 V 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL

 7.2. Size:612K  vishay
 si3460ddv.pdf pdf_icon

SI3460DV

Si3460DDVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V 7.9 TrenchFET Power MOSFET20 0.032 at VGS = 2.5 V 7.4 6.7 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.038 at VGS = 1.8 V 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI3456BDV , SI3456CDV , SI3456DDV , SI3457BDV , SI3457CDV , SI3458BDV , SI3459BDV , SI3460DDV , IRF9540N , SI3464DV , SI3465DV , SI3467DV , SI3473CDV , SI3473DV , SI3474DV , SI3476DV , SI3477DV .

 

 
Back to Top

 


 
.