Справочник MOSFET. SI3460DV

 

SI3460DV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI3460DV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.45 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для SI3460DV

 

 

SI3460DV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  vishay
 si3460dv.pdf

SI3460DV SI3460DV

Si3460DVVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.027 at VGS = 4.5 V 6.8 TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = 2.5 V 20 6.3 100 % Rg Tested0.038 at VGS = 1.8 V 5.7 Compliant to RoHS directive 2002/95/ECTSOP-6(1, 2, 5, 6) DTop View1 6

 0.1. Size:862K  cn vbsemi
 si3460dv-t1.pdf

SI3460DV SI3460DV

SI3460DV-T1www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/

 7.1. Size:612K  vishay
 si3460dd si3460ddv.pdf

SI3460DV SI3460DV

Si3460DDVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V 7.9 TrenchFET Power MOSFET20 0.032 at VGS = 2.5 V 7.4 6.7 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.038 at VGS = 1.8 V 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL

 7.2. Size:612K  vishay
 si3460ddv.pdf

SI3460DV SI3460DV

Si3460DDVVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V 7.9 TrenchFET Power MOSFET20 0.032 at VGS = 2.5 V 7.4 6.7 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested0.038 at VGS = 1.8 V 6.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPL

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top