Справочник MOSFET. SI4010DY

 

SI4010DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4010DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4010DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4010DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  vishay
 si4010dy.pdf pdf_icon

SI4010DY

Si4010DYwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0034 at VGS = 10 V 31.330 22.5 nC Material categorization: 0.0044 at VGS = 4.5 V 27.5For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 SO-8APPLICATIONS

Другие MOSFET... SI3865DDV , SI3867DV , SI3879DV , SI3900DV , SI3932DV , SI3981DV , SI3993CDV , SI4004DY , IRF2807 , SI4048DY , SI4090DY , SI4100DY , SI4101DY , SI4102DY , SI4104DY , SI4108DY , SI4110DY .

 

 
Back to Top

 


 
.