SI4010DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4010DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1040 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4010DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4010DY даташит

 ..1. Size:250K  vishay
 si4010dy.pdf pdf_icon

SI4010DY

Si4010DY www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0034 at VGS = 10 V 31.3 30 22.5 nC Material categorization 0.0044 at VGS = 4.5 V 27.5 For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 SO-8 APPLICATIONS

Другие IGBT... SI3865DDV, SI3867DV, SI3879DV, SI3900DV, SI3932DV, SI3981DV, SI3993CDV, SI4004DY, STF13NM60N, SI4048DY, SI4090DY, SI4100DY, SI4101DY, SI4102DY, SI4104DY, SI4108DY, SI4110DY