SI4010DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4010DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 1040 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4010DY Datasheet (PDF)
..1. Size:250K vishay
si4010dy.pdf
si4010dy.pdf
Si4010DYwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () (Max.) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0034 at VGS = 10 V 31.330 22.5 nC Material categorization: 0.0044 at VGS = 4.5 V 27.5For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 SO-8APPLICATIONS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
