Справочник MOSFET. SI4100DY

 

SI4100DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4100DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4100DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  vishay
 si4100dy.pdf pdf_icon

SI4100DY

Si4100DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.063 at VGS = 10 V 6.8 TrenchFET Power MOSFET100 9 nC 100 % UIS Tested0.084 at VGS = 6 V 5.8APPLICATIONS High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TVSO-8 S D

 9.1. Size:241K  vishay
 si4102dy.pdf pdf_icon

SI4100DY

Si4102DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.158 at VGS = 10 V 3.8 TrenchFET Power MOSFET100 4.6 nC 100 % UIS Tested0.175 at VGS = 6 V 3.6APPLICATIONS High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TVSO-8 S D

 9.2. Size:270K  vishay
 si4108dy.pdf pdf_icon

SI4100DY

New ProductSi4108DYVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0098 at VGS = 10 V 75 36 nC20.5 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch Half BridgeSO-8 Intermediate Bus ConverterD S1

 9.3. Size:272K  vishay
 si4101dy.pdf pdf_icon

SI4100DY

New ProductSi4101DYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0060 at VGS = - 10 V - 25.7 Material categorization:- 30 65 nCFor definitions of compliance please see0.0080 at VGS = - 4.5 V - 22.3www.vishay.com/doc?99912SO-8APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PHU78NQ03LT | FMV16N60E | FQD5N50TF | NCE2010E | IRF3707SPBF | UP9971G-D08-T | HCS70R910ST

 

 
Back to Top

 


 
.