SI4100DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4100DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4100DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4100DY даташит

 ..1. Size:241K  vishay
 si4100dy.pdf pdf_icon

SI4100DY

Si4100DY Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Available 0.063 at VGS = 10 V 6.8 TrenchFET Power MOSFET 100 9 nC 100 % UIS Tested 0.084 at VGS = 6 V 5.8 APPLICATIONS High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TV SO-8 S D

 9.1. Size:241K  vishay
 si4102dy.pdf pdf_icon

SI4100DY

Si4102DY Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Available 0.158 at VGS = 10 V 3.8 TrenchFET Power MOSFET 100 4.6 nC 100 % UIS Tested 0.175 at VGS = 6 V 3.6 APPLICATIONS High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TV SO-8 S D

 9.2. Size:270K  vishay
 si4108dy.pdf pdf_icon

SI4100DY

New Product Si4108DY Vishay Siliconix N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0098 at VGS = 10 V 75 36 nC 20.5 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS Tested APPLICATIONS Primary Side Switch Half Bridge SO-8 Intermediate Bus Converter D S 1

 9.3. Size:272K  vishay
 si4101dy.pdf pdf_icon

SI4100DY

New Product Si4101DY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0060 at VGS = - 10 V - 25.7 Material categorization - 30 65 nC For definitions of compliance please see 0.0080 at VGS = - 4.5 V - 22.3 www.vishay.com/doc?99912 SO-8 APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI3900DV, SI3932DV, SI3981DV, SI3993CDV, SI4004DY, SI4010DY, SI4048DY, SI4090DY, 8N60, SI4101DY, SI4102DY, SI4104DY, SI4108DY, SI4110DY, SI4114DY, SI4116DY, SI4122DY