Справочник MOSFET. SI4100DY

 

SI4100DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4100DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4100DY

 

 

SI4100DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  vishay
 si4100dy.pdf

SI4100DY SI4100DY

Si4100DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.063 at VGS = 10 V 6.8 TrenchFET Power MOSFET100 9 nC 100 % UIS Tested0.084 at VGS = 6 V 5.8APPLICATIONS High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TVSO-8 S D

 9.1. Size:241K  vishay
 si4102dy.pdf

SI4100DY SI4100DY

Si4102DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.158 at VGS = 10 V 3.8 TrenchFET Power MOSFET100 4.6 nC 100 % UIS Tested0.175 at VGS = 6 V 3.6APPLICATIONS High Frequency Boost Converter LED Backlight for LCD TVSO-8 S D

 9.2. Size:270K  vishay
 si4108dy.pdf

SI4100DY SI4100DY

New ProductSi4108DYVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0098 at VGS = 10 V 75 36 nC20.5 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Primary Side Switch Half BridgeSO-8 Intermediate Bus ConverterD S1

 9.3. Size:272K  vishay
 si4101dy.pdf

SI4100DY SI4100DY

New ProductSi4101DYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0060 at VGS = - 10 V - 25.7 Material categorization:- 30 65 nCFor definitions of compliance please see0.0080 at VGS = - 4.5 V - 22.3www.vishay.com/doc?99912SO-8APPLICATIONS

 9.4. Size:255K  vishay
 si4104dy.pdf

SI4100DY SI4100DY

New ProductSi4104DYVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.105 at VGS = 10 V TrenchET Power MOSFET100 4.6 8.5 nC 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 High Freque

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top