Справочник MOSFET. SI4136DY

 

SI4136DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4136DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1285 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4136DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  vishay
 si4136dy.pdf pdf_icon

SI4136DY

New ProductSi4136DYVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.002 at VGS = 10 V 46 100 % Rg and UIS Tested20 34 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 41APPLICATIONS OR-ing DC/DCSO-8D SD1 8SD2 7SD3 6GD G 4 5

 9.1. Size:251K  vishay
 si4134dy.pdf pdf_icon

SI4136DY

Si4134DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.014 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 7.3 nC0.0175 at VGS = 4.5 V 12.5 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSSO-8 DC/DC Conversion-

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4396DY | SI4172DY | R6524KNX | IRC330 | SI4324DY | SI4384DY | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.