Справочник MOSFET. SI4214DDY

 

SI4214DDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4214DDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4214DDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  vishay
si4214ddy.pdfpdf_icon

SI4214DDY

Si4214DDYVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFETPower MOSFET0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % Rg and UIS Tested30 7.10.023 at VGS = 4.5 V 8.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Notebook Syst

 0.1. Size:181K  vishay
si4214ddy-t1-e3.pdfpdf_icon

SI4214DDY

Si4214DDY-T1-E3Vishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V 8.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD D

 6.1. Size:243K  vishay
si4214dd.pdfpdf_icon

SI4214DDY

New ProductSi4214DDYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0195 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET30 7.1 100 % Rg Tested0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

 7.1. Size:271K  vishay
si4214dy.pdfpdf_icon

SI4214DDY

New ProductSi4214DYVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0235 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET30 6.7 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 4.5 V 7.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI4812BDY | SI4448DY | SI4804CDY | SI4286DY | SI4816BDY | SI4634DY | SI4638DY

 

 
Back to Top

 


 
.