SI4214DDY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4214DDY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4214DDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4214DDY даташит

 ..1. Size:265K  vishay
 si4214ddy.pdf pdf_icon

SI4214DDY

Si4214DDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % Rg and UIS Tested 30 7.1 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Notebook Syst

 0.1. Size:181K  vishay
 si4214ddy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4214DDY

Si4214DDY-T1-E3 Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested 30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DC D D

 6.1. Size:243K  vishay
 si4214dd.pdf pdf_icon

SI4214DDY

New Product Si4214DDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0195 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET 30 7.1 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

 7.1. Size:271K  vishay
 si4214dy.pdf pdf_icon

SI4214DDY

New Product Si4214DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0235 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET 30 6.7 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 4.5 V 7.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI4186DY, SI4190ADY, SI4190DY, SI4196DY, SI4200DY, SI4202DY, SI4204DY, SI4210DY, IRF640, SI4228DY, SI4276DY, SI4286DY, SI4288DY, SI4320DY, SI4322DY, SI4324DY, SI4336DY