SI4214DDY - описание и поиск аналогов

 

SI4214DDY - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4214DDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4214DDY

 

SI4214DDY технические параметры

 ..1. Size:265K  vishay
 si4214ddy.pdf pdf_icon

SI4214DDY

Si4214DDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % Rg and UIS Tested 30 7.1 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Notebook Syst

 0.1. Size:181K  vishay
 si4214ddy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4214DDY

Si4214DDY-T1-E3 Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 0.0195 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested 30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DC D D

 6.1. Size:243K  vishay
 si4214dd.pdf pdf_icon

SI4214DDY

New Product Si4214DDY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0195 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET 30 7.1 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 4.5 V 8.6 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

 7.1. Size:271K  vishay
 si4214dy.pdf pdf_icon

SI4214DDY

New Product Si4214DY Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0235 at VGS = 10 V 8.5 TrenchFET Power MOSFET 30 6.7 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 4.5 V 7.8 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4186DY , SI4190ADY , SI4190DY , SI4196DY , SI4200DY , SI4202DY , SI4204DY , SI4210DY , IRF640 , SI4228DY , SI4276DY , SI4286DY , SI4288DY , SI4320DY , SI4322DY , SI4324DY , SI4336DY .

 

 
Back to Top

 


 
.