Справочник MOSFET. SI4368DY

 

SI4368DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4368DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4368DY

 

 

SI4368DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  vishay
 si4368dy.pdf

SI4368DY SI4368DY

Si4368DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0032 at VGS = 10 V 2530 Extremely Low Qgd for Switching 0.0036 at VGS = 4.5 V 22Losses Improvement TrenchFET Gen II Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive

 9.1. Size:236K  vishay
 si4362bdy.pdf

SI4368DY SI4368DY

Si4362BDYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0046 at VGS = 10 V 19.8 TrenchFET Power MOSFET30 36 nC0.0054 at VGS = 4.5 V 18.2 Optimized for "Low Side" SynchronousRectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC

 9.2. Size:98K  vishay
 si4364dy.pdf

SI4368DY SI4368DY

Si4364DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0045 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET300.0055 at VGS = 4.5 V Optimized for Low Side Synchronous 19Rectifier Operation 100 % Rg TestedAPPLICATIONS DC/DC ConvertersSO-8

 9.3. Size:87K  vishay
 si4362dy.pdf

SI4368DY SI4368DY

Si4362DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESD TrenchFETr Power MOSFETD Optimized for Low Side SynchronousPRODUCT SUMMARYRectifier OperationD 100% Rg TestedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0045 @ VGS = 10 V 20 APPLICATIONS30300.0055 @ VGS = 4.5 V 19D DC/DC ConvertersD Synchronous RectifiersSO-8DSD1 8SD2 7SD3 6GD4 5GTop ViewO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top