Справочник MOSFET. SI4410DYPBF

 

SI4410DYPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4410DYPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 739 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4410DYPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4410DYPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  vishay
 si4410dypbf si4410dytrpbf.pdf pdf_icon

SI4410DYPBF

PD - 95168Si4410DYPbFHEXFET Power MOSFETl N-Channel MOSFETl Low On-ResistanceAl Low Gate Charge A1 8S DVDSS = 30Vl Surface Mount2 7S Dl Logic Level Drive3 6l Lead-Free S D4 5G D RDS(on) = 0.0135DescriptionTop ViewThis N-channel HEXFET Power MOSFET isproduced using International Rectifier's advancedHEXFET power MOSFET technology. The low on-re

 ..2. Size:119K  infineon
 si4410dypbf.pdf pdf_icon

SI4410DYPBF

PD - 95168Si4410DYPbFHEXFET Power MOSFETl N-Channel MOSFETl Low On-ResistanceAl Low Gate Charge A1 8S DVDSS = 30Vl Surface Mount2 7S Dl Logic Level Drive3 6l Lead-Free S D4 5G D RDS(on) = 0.0135DescriptionTop ViewThis N-channel HEXFET Power MOSFET isproduced using International Rectifier's advancedHEXFET power MOSFET technology. The low on-re

 6.1. Size:93K  international rectifier
 si4410dy.pdf pdf_icon

SI4410DYPBF

PD - 91853CSi4410DYHEXFET Power MOSFET N-Channel MOSFETAA Low On-Resistance 1 8S DVDSS = 30V Low Gate Charge2 7S D Surface Mount3 6S D Logic Level Drive4 5G DRDS(on) = 0.0135Top ViewDescriptionThis N-channel HEXFET Power MOSFET is producedusing International Rectifier's advanced HEXFET powerMOSFET technology. The low on-resistance and low gat

 6.2. Size:353K  vishay
 si4410dy.pdf pdf_icon

SI4410DYPBF

SI4410DYN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 4 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4401DY , SI4403BDY , SI4403CDY , SI4404DY , SI4406DY , SI4408DY , SI4409DY , SI4410BDY , AON7410 , SI4411DY , SI4412ADY , SI4413ADY , SI4418DY , SI4420BDY , SI4420DYPBF , SI4421DY , SI4423DY .

History: SIHFD9120 | AP4P052H | SIHFBF30S | SPE7N65G | 2SK1476 | RQ1E050RPTR | LSG50R160HT

 

 
Back to Top

 


 
.