Справочник MOSFET. SI4425BDY

 

SI4425BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4425BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4425BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4425BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  vishay
si4425bdy.pdfpdf_icon

SI4425BDY

Si4425BDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.012 at VGS = - 10 V - 11.4 TrenchFET Power MOSFET- 300.019 at VGS = - 4.5 V - 9.1 Advanced High Cell Density Process Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switches-

 ..2. Size:855K  cn vbsemi
si4425bdy.pdfpdf_icon

SI4425BDY

SI4425BDYwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop PC

 8.1. Size:252K  vishay
si4425dd.pdfpdf_icon

SI4425BDY

Si4425DDYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0098 at VGS = 10 V - 19.7 TrenchFET Power MOSFET- 30 27 nC 100 % Rg Tested0.0165 at VGS = 4.5 V - 15.2APPLICATIONS Load Switches- Notebook PCs- Desktop PCsSO-8SSD1 8SD2

 8.2. Size:95K  vishay
si4425dy.pdfpdf_icon

SI4425BDY

Si4425DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)FEATURES0.014 @ VGS = -10 V-11D TrenchFETr Power MOSFET-30-300.023 @ VGS = -4.5 V -8.5 Pb-freeAvailableSO-8SSD1 8S D2 7GSD3 6G D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4425DYSi4425DY-T1 (with Tape and Reel)P-Channel MOSFET: Si4425DYE3 (Lead (Pb)-Fr

Другие MOSFET... SI4411DY , SI4412ADY , SI4413ADY , SI4418DY , SI4420BDY , SI4420DYPBF , SI4421DY , SI4423DY , IRLZ44N , SI4425DDY , SI4426DY , SI4427BDY , SI4430BDY , SI4431CDY , SI4434DY , SI4435DDY , SI4435DYPBF .

History: NCE60N670K | RJK2017DPP | SL2308 | APT60M80L2VFRG | BSC072N03LDG | QM3009S

 

 
Back to Top

 


 
.