SI4482DY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4482DY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4482DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4482DY даташит

 ..1. Size:38K  vishay
si4482dy.pdfpdf_icon

SI4482DY

Si4482DY Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.060 @ VGS = 10 V 4.6 100 100 0.080 @ VGS = 6 V 4.0 D SO-8 SD 1 8 SD 2 7 G SD 3 6 GD 4 5 Top View S Ordering Information Si4482DY Si4482DY-T1 (with Tape and Reel) N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Dr

 9.1. Size:250K  vishay
si4486ey.pdfpdf_icon

SI4482DY

Si4486EY Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.025 at VGS = 10 V 7.9 100 TrenchFET Power MOSFETs 0.028 at VGS = 6.0 V 7.5 175 C Maximum Junction Temperature PWM Optimized Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 S D 1 8 S D 2

 9.2. Size:248K  vishay
si4483edy.pdfpdf_icon

SI4482DY

Si4483EDY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0085 at VGS = - 10 V - 14 - 30 TrenchFET Power MOSFET 0.014 at VGS = - 4.5 V - 11 ESD Protection 3000 V APPLICATIONS Notebook PC - Load Switch - Adapter Switch S SO-8 S D 1 8 S D 2 7 S D

 9.3. Size:231K  vishay
si4488dy.pdfpdf_icon

SI4482DY

Si4488DY Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.050 at VGS = 10 V 150 5.0 TrenchFET Power MOSFETs Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 S D 1 8 S D 2 7 G S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information Si4488DY-T1-E3 (Lead (Pb)-fr

Другие IGBT... SI4462DY, SI4463CDY, SI4464DY, SI4465ADY, SI4466DY, SI4470EY, SI4472DY, SI4477DY, P60NF06, SI4483ADY, SI4483EDY, SI4484EY, SI4485DY, SI4486EY, SI4487DY, SI4488DY, SI4491EDY