SI4491EDY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI4491EDY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI4491EDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 880 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4491EDY

 

SI4491EDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  vishay
si4491edy.pdfpdf_icon

SI4491EDY

New Product Si4491EDY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switch VDS (V) RDS(on) ( ) Max. applications ID a Qg (Typ.) Extremely low RDS(on) 0.0065 at VGS = - 10 V - 29 TrenchFET Power MOSFET - 30 0.0082 at VGS = - 6 V - 23 66 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0112 at VGS = - 4.5 V - 20

 9.1. Size:225K  vishay
si4493dy.pdfpdf_icon

SI4491EDY

Si4493DY Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.00775 at VGS = - 4.5 V - 14 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.01225 at VGS = - 2.5 V - 11 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Load Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S D

 9.2. Size:225K  vishay
si4490dy.pdfpdf_icon

SI4491EDY

Si4490DY Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.080 at VGS = 10 V 4.0 TrenchFET Power MOSFETs 200 0.090 at VGS = 6.0 V 3.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SO-8 S D 1 8 S D G 2 7 S D 3 6 G D 4 5 Top View S Ordering Information

 9.3. Size:122K  vishay
si4497dy.pdfpdf_icon

SI4491EDY

New Product Si4497DY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.0033 at VGS = - 10 V - 36 TrenchFET Power MOSFET - 30 90 nC 100 % Rg Tested 0.0046 at VGS = - 4.5 V - 29 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATI

Другие MOSFET... SI4482DY , SI4483ADY , SI4483EDY , SI4484EY , SI4485DY , SI4486EY , SI4487DY , SI4488DY , IRFZ46N , SI4493DY , SI4497DY , SI4500BDY , SI4501BDY , SI4511DY , SI4532CDY , SI4554DY , SI4559ADY .

 

 
Back to Top

 


 
.