SI4626ADY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI4626ADY  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI4626ADY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4626ADY даташит

 ..1. Size:240K  vishay
si4626ady.pdfpdf_icon

SI4626ADY

New Product Si4626ADY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0033 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 30 37 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0041 at VGS = 4.5 V 26.3 APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming SO-

 6.1. Size:237K  vishay
si4626ad.pdfpdf_icon

SI4626ADY

New Product Si4626ADY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0033 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 30 37 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0041 at VGS = 4.5 V 26.3 APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming SO-

 8.1. Size:90K  vishay
si4626dy.pdfpdf_icon

SI4626ADY

New Product Si4626DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested RoHS 0.0036 at VGS = 10 V 30 COMPLIANT 34 nC 30 APPLICATIONS 0.0048 at VGS = 4.5 V 26.3 Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming SO-8 D S D 1 8 S D 2 7 S D 3 6

 9.1. Size:255K  vishay
si4628dy.pdfpdf_icon

SI4626ADY

Si4628DY Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0030 at VGS = 10 V 38 SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 30 27.5 nC 0.0038 at VGS = 4.5 V 33 Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS

Другие IGBT... SI4554DY, SI4559ADY, SI4564DY, SI4590DY, SI4599DY, SI4618DY, SI4620DY, SI4622DY, IRF730, SI4628DY, SI4630DY, SI4632DY, SI4636DY, SI4638DY, SI4642DY, SI4646DY, SI4654DY