Справочник MOSFET. SI4626ADY

 

SI4626ADY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4626ADY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4626ADY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  vishay
si4626ady.pdfpdf_icon

SI4626ADY

New ProductSi4626ADYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0033 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 30 37 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0041 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-

 6.1. Size:237K  vishay
si4626ad.pdfpdf_icon

SI4626ADY

New ProductSi4626ADYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0033 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 30 37 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0041 at VGS = 4.5 V 26.3APPLICATIONS Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-

 8.1. Size:90K  vishay
si4626dy.pdfpdf_icon

SI4626ADY

New ProductSi4626DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ) 100 % Rg and UIS TestedRoHS 0.0036 at VGS = 10 V 30COMPLIANT 34 nC30APPLICATIONS0.0048 at VGS = 4.5 V 26.3 Low-Side DC/DC Conversion- Notebook- GamingSO-8 DS D 1 8 S D 2 7 S D 3 6

 9.1. Size:255K  vishay
si4628dy.pdfpdf_icon

SI4626ADY

Si4628DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0030 at VGS = 10 V 38 SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III30 27.5 nC0.0038 at VGS = 4.5 V 33Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI4178DY | SI4430BDY | R6524KNX | IRC330 | SI4483ADY | SI4403DDY | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.