Справочник MOSFET. SI4660DY

 

SI4660DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI4660DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для SI4660DY

 

 

SI4660DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  vishay
 si4660dy.pdf

SI4660DY SI4660DY

Si4660DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0058 at VGS = 10 V 23.1 TrenchFET Power MOSFET 17 nC25 100 % Rg and UIS Tested0.007at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS DC/DC Conversion- High Side - Low Side SO-8 DSD1 8 SD

 9.1. Size:238K  vishay
 si4668dy.pdf

SI4660DY SI4660DY

Si4668DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0105 at VGS = 10 V 16.2 TrenchFET Power MOSFET25 12.4 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0125 at VGS = 4.5 V 13APPLICATIONS Synchronous BuckSO-8 - High SideDSD1 8 SD2 7 SD3

 9.2. Size:97K  vishay
 si4662dy.pdf

SI4660DY SI4660DY

Si4662DYVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.010 at VGS = 10 V 18.6 TrenchFET Power MOSFET11 nC30 100 % Rg and UIS Tested0.014 at VGS = 4.5 V 15.7APPLICATIONS High-Side Switch- Notebook DC/DC- Server DC/DCSO-8 DSD1

 9.3. Size:259K  vishay
 si4666dy.pdf

SI4660DY SI4660DY

Si4666DYVishay SiliconixN-Channel 25 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 4.5 V 25 15.8 10.7 nC 100 % Rg and UIS Tested0.014 at VGS = 2.5 V 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top