SI4776DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4776DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 141 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4776DY Datasheet (PDF)
si4776dy.pdf
New ProductSi4776DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.)Definition SkyFETMonolithic TrenchFETPower 0.016 at VGS = 10 V 11.930 5.5 nCMOSFET and Schottky Diode0.020 at VGS = 4.5 V 10.6 100 % Rg and UIS Teste
si4774dy.pdf
New ProductSi4774DYVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0095 at VGS = 10 V SkyFET Monolithic TrenchFET Gen. 1630 9.5 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0120 at VGS = 4.5 V 15 100 % Rg Tested
si4778dy.pdf
Si4778DYVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Available0.023 at VGS = 10 V 8a TrenchFET Power MOSFET25 5.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.028 at VGS = 4.5 V 8aAPPLICATIONS DC/DC Converter Gaming Notebook System PowerSO-8 DS 1
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
