SI4800 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4800
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 7 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0185 Ohm
Тип корпуса: SO-8
SI4800 Datasheet (PDF)
si4800.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SI4800N-channel TrenchMOS logic level FETM3D315Rev. 02 17 February 2004 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features Low gate charge Surface mounted package Low on-state resistance Fast switching.1.3 Applications Portable appliances Notebook computers
si4800bdy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4800BDYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 930 TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 7 High-Efficient PWM Optimized 100 % UIS and Rg TestedSO-8DS1 8 DS D2 7S3 6 DG D4 5GTop Vi
si4800bd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4800BDYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 930 TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 4.5 V 7 High-Efficient PWM Optimized 100 % UIS and Rg TestedSO-8DS1 8 DS D2 7S3 6 DG D4 5GTop Vi
si4800dy.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Si4800DYVishay SiliconixN-Channel Reducded Qg, Fast Switching MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.0185 @ VGS = 10 V 930300.033 @ VGS = 4.5 V 7D D D DSO-8SD1 8S D2 7GSD3 6G D N-Channel MOSFET4 5Top ViewOrdering Information: Si4800DYSi4800DY-T1 (with Tape and Reel)S S SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Paramet
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .