Справочник MOSFET. SI4840DY

 

SI4840DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4840DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI4840DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4840DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  vishay
 si4840dy.pdf pdf_icon

SI4840DY

Si4840DYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.009 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET400.012 at VGS = 4.5 V 12 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8DS D1 82 7S DS 3 6 DG4 5G DTop ViewSOrder

 0.1. Size:859K  cn vbsemi
 si4840dy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI4840DY

SI4840DY-T1-E3www.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchron

 8.1. Size:238K  vishay
 si4840bdy.pdf pdf_icon

SI4840DY

Si4840BDYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1940 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronou

 8.2. Size:235K  vishay
 si4840bd.pdf pdf_icon

SI4840DY

Si4840BDYVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1940 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 16 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4831BDY , SI4833ADY , SI4833BDY , SI4835DDY , SI4836DY , SI4838BDY , SI4838DY , SI4840BDY , 2SK3568 , SI4842BDY , SI4848DY , SI4850EY , SI4858DY , SI4860DY , SI4862DY , SI4864DY , SI4866BDY .

History: CJ3139KDW | F5043 | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | CEB6060N | APM4012NU

 

 
Back to Top

 


 
.