Справочник MOSFET. SI4866DY

 

SI4866DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4866DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4866DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  vishay
 si4866dy.pdf pdf_icon

SI4866DY

Si4866DYVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0055 at VGS = 4.5 V 17 TrenchFET Power MOSFETs120.008 at VGS = 2.5 V 14 PWM Optimized for High Efficiency Low Output Voltage 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous

 8.1. Size:235K  vishay
 si4866bdy.pdf pdf_icon

SI4866DY

Si4866BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 8.2. Size:232K  vishay
 si4866bd.pdf pdf_icon

SI4866DY

Si4866BDYVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0053 at VGS = 4.5 V 21.5 TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 2.5 V 12 20.2 29.5 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0074 at VGS = 1.8 V 18.2APPLICATIONS Synchronous Rectifier Poi

 9.1. Size:224K  vishay
 si4862dy.pdf pdf_icon

SI4866DY

Si4862DYVishay SiliconixN-Channel 16-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0033 at VGS = 4.5 V 25 TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated160.0055 at VGS = 2.5 V 20 Low 3.3 m RDS(on) Low Gate Resistance 100 % Rg Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP3P010H | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | 2N60G | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.