SI5402BDC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5402BDC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: 1206-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5402BDC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5402BDC даташит

 ..1. Size:226K  vishay
si5402bdc.pdfpdf_icon

SI5402BDC

Si5402BDC Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.035 at VGS = 10 V 6.7 30 TrenchFET Power MOSFET 0.042 at VGS = 4.5 V 6.1 1206-8 ChipFET D 1 D D D D D D G G Marking Code S AD XXX Lot Traceability and Date Code Part # Code Bottom View S Order

 8.1. Size:227K  vishay
si5402dc.pdfpdf_icon

SI5402BDC

Si5402DC Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.035 at VGS = 10 V 6.7 TrenchFET Power MOSFETs 30 0.055 at VGS = 4.5 V 5.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET D 1 D D D D D Marking Code AA XX D G G Lot Traceabil

 9.1. Size:246K  vishay
si5406cdc.pdfpdf_icon

SI5402BDC

New Product Si5406CDC Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.020 at VGS = 4.5 V 6 RoHS 0.023 at VGS = 2.5 V 12 6 11.5 nC COMPLIANT APPLICATIONS 0.027 at VGS = 1.8 V 6 Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers PA Switch in Cellular Devices

 9.2. Size:201K  vishay
si5406dc.pdfpdf_icon

SI5402BDC

Si5406DC Vishay Siliconix N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.020 at VGS = 4.5 V 9.5 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 12 0.025 at VGS = 2.5 V 8.5 Low Thermal Resistance APPLICATIONS Load/Power Switching for Cell Phones and Pagers 1206-8 ChipFET

Другие IGBT... SI4925DDY, SI4931DY, SI4936CDY, SI4943CDY, SI4946BEY, SI4948BEY, SI4992EY, SI5401DC, STF13NM60N, SI5402DC, SI5403DC, SI5404BDC, SI5406CDC, SI5406DC, SI5410DU, SI5411EDU, SI5414DC