SI5445BDC - аналоги и даташиты транзистора

 

SI5445BDC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI5445BDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5445BDC

 

SI5445BDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  vishay
si5445bdc.pdfpdf_icon

SI5445BDC

Si5445BDC Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.033 at VGS = - 4.5 V - 7.1 TrenchFET Power MOSFET 0.043 at VGS = - 2.5 V - 6.2 14 - 8 0.060 at VGS = - 1.8 V - 5.3 1206-8 ChipFET 1 D S D D D D Marking Code D G G BM XX S Lot Traceability

 8.1. Size:109K  vishay
si5445dc.pdfpdf_icon

SI5445BDC

Si5445DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A) 0.035 @ VGS = --4.5 V 7.1 --8 0.047 @ VGS = --2.5 V 6.2 0.062 @ VGS = --1.8 V 5.7 S 1206-8 ChipFETt 1 D G D D D D Marking Code D G BC XX S Lot Traceability and Date Code Part # Code D Bottom View P-Channel MOSFET Ordering Information Si5445DC-T1 ABSOLUTE MAXIM

 9.1. Size:200K  vishay
si5443dc.pdfpdf_icon

SI5445BDC

Si5443DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.065 at VGS = - 4.5 V 4.9 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.074 at VGS = - 3.6 V - 20 4.6 0.110 at VGS = - 2.5 V 3.8 1206 -8 ChipFET S 1 D D D D D G Marking Code D G BB XX Lot

 9.2. Size:228K  vishay
si5441dc.pdfpdf_icon

SI5445BDC

Si5441DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = - 4.5 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET 0.06 at VGS = - 3.6 V - 5.1 11 2.5 V Rated - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.083 at VGS = - 2.5 V - 4.3 1206-8 ChipFET 1

Другие MOSFET... SI5432DC , SI5433BDC , SI5435BDC , SI5440DC , SI5441BDC , SI5441DC , SI5442DU , SI5443DC , AOD4184A , SI5447DC , SI5449DC , SI5456DU , SI5457DC , SI5458DU , SI5459DU , SI5461EDC , SI5463EDC .

 

 
Back to Top

 


 
.