SI5447DC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI5447DC 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
Тип корпуса: 1206-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI5447DC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI5447DC даташит
si5447dc.pdf
Si5447DC Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.076 at VGS = - 4.5 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated 0.110 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.0 0.160 at VGS = - 1.8 V - 3.3 1206-8 ChipFET S 1 D D D D D G Marking Code D G BG XX S Lot Traceab
si5443dc.pdf
Si5443DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.065 at VGS = - 4.5 V 4.9 TrenchFET Power MOSFETs 2.5 V Rated 0.074 at VGS = - 3.6 V - 20 4.6 0.110 at VGS = - 2.5 V 3.8 1206 -8 ChipFET S 1 D D D D D G Marking Code D G BB XX Lot
si5445bdc.pdf
Si5445BDC Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.033 at VGS = - 4.5 V - 7.1 TrenchFET Power MOSFET 0.043 at VGS = - 2.5 V - 6.2 14 - 8 0.060 at VGS = - 1.8 V - 5.3 1206-8 ChipFET 1 D S D D D D Marking Code D G G BM XX S Lot Traceability
si5441dc.pdf
Si5441DC Vishay Siliconix P-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = - 4.5 V - 5.3 TrenchFET Power MOSFET 0.06 at VGS = - 3.6 V - 5.1 11 2.5 V Rated - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.083 at VGS = - 2.5 V - 4.3 1206-8 ChipFET 1
Другие IGBT... SI5433BDC, SI5435BDC, SI5440DC, SI5441BDC, SI5441DC, SI5442DU, SI5443DC, SI5445BDC, AO4407A, SI5449DC, SI5456DU, SI5457DC, SI5458DU, SI5459DU, SI5461EDC, SI5463EDC, SI5468DC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023









