Справочник MOSFET. IRFS251

 

IRFS251 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS251
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 128(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 100(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 533 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS251 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  1
 irfs250 irfs251.pdf pdf_icon

IRFS251

 8.1. Size:207K  1
 irfs254a.pdf pdf_icon

IRFS251

 8.2. Size:256K  1
 irfs250a.pdf pdf_icon

IRFS251

IRFS250AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.085 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 21.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.071 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymb

 8.3. Size:648K  1
 irfs254b.pdf pdf_icon

IRFS251

November 2001IRFS254B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 16A, 250V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 95 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS240 , IRFS240A , IRFS241 , IRFS242 , IRFS243 , IRFS244A , IRFS250 , IRFS250A , IRF1405 , IRFS252 , IRFS253 , IRFS254A , IRFS330 , IRFS331 , IRFS332 , IRFS333 , IRFS340 .

History: AOC2802

 

 
Back to Top

 


 
.