SI5853 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5853  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5853

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5853 даташит

 ..1. Size:254K  vishay
si5853.pdfpdf_icon

SI5853

Shen zhen TuoFeng Semiconductor Techonlogy co., LTD SI5853 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode FEATURE APPLICATIONS MOSFET Battery Powered System -20V/-3.5A, RDS(ON) 110m @VGS = -4.5V Notebook Power Management -20V/-2.4A, RDS(ON) 160m @VGS = -2.5V Cell Phone SCHOTTKY VKA = 20V, VF=0.4V(Typ.)@ IF = 0.5A Full RoHS compliance

 0.1. Size:172K  vishay
si5853dc.pdfpdf_icon

SI5853

Si5853DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

 0.2. Size:130K  vishay
si5853cdc.pdfpdf_icon

SI5853

Si5853CDC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.104 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.144 at VGS = - 2.5 V - 3.6 4.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.205 at VGS = - 1.8 V

 0.3. Size:190K  vishay
si5853ddc.pdfpdf_icon

SI5853

Si5853DDC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.188 at VGS = - 1.8 V

Другие IGBT... SI5484DU, SI5485DU, SI5486DU, SI5499DC, SI5504BDC, SI5513CDC, SI5515CDC, SI5517DU, IRFB4115, SI5853CDC, SI5853DDC, SI5855CDC, SI5857DU, SI5858DU, SI5902BDC, SI5904DC, SI5906DU