Справочник MOSFET. SI5935CDC

 

SI5935CDC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI5935CDC
   Маркировка: DK*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8

 Аналог (замена) для SI5935CDC

 

 

SI5935CDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  vishay
 si5935cdc.pdf

SI5935CDC SI5935CDC

Si5935CDCVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs- 4g 100 % Rg Tested- 20 0.120 at VGS = - 2.5 V - 4g 6.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.156 at VGS = - 1.8 V - 3.8APP

 6.1. Size:235K  vishay
 si5935cd.pdf

SI5935CDC SI5935CDC

Si5935CDCVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.100 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs- 4g 100 % Rg Tested- 20 0.120 at VGS = - 2.5 V - 4g 6.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.156 at VGS = - 1.8 V - 3.8APP

 9.1. Size:238K  vishay
 si5933cd.pdf

SI5935CDC SI5935CDC

Si5933CDCVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC- 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0APPLICATI

 9.2. Size:130K  vishay
 si5938du.pdf

SI5935CDC SI5935CDC

Si5938DUVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.039 at VGS = 4.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC ChipFET PackageCOMPLIANT- Small Footprint Area0.055 at VGS = 1.8 V 6- Low On-ResistancePowerPAK C

 9.3. Size:242K  vishay
 si5933cdc.pdf

SI5935CDC SI5935CDC

Si5933CDCVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC- 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0APPLICATI

 9.4. Size:151K  vishay
 si5936du.pdf

SI5935CDC SI5935CDC

New Product Si5936DUVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package0.030 at VGS = 10 V 6- Small Footprint Area30 3.5 nC- Low On-Resistance0.040 at VGS = 4.5 V 6- Thin 0.8 mm Profile 100 % Rg Tested Mater

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top