SI5935CDC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5935CDC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: 1206-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5935CDC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5935CDC даташит

 ..1. Size:239K  vishay
 si5935cdc.pdf pdf_icon

SI5935CDC

Si5935CDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.100 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs - 4g 100 % Rg Tested - 20 0.120 at VGS = - 2.5 V - 4g 6.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.156 at VGS = - 1.8 V - 3.8 APP

 6.1. Size:235K  vishay
 si5935cd.pdf pdf_icon

SI5935CDC

Si5935CDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.100 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFETs - 4g 100 % Rg Tested - 20 0.120 at VGS = - 2.5 V - 4g 6.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.156 at VGS = - 1.8 V - 3.8 APP

 9.1. Size:238K  vishay
 si5933cd.pdf pdf_icon

SI5935CDC

Si5933CDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET 0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC - 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0 APPLICATI

 9.2. Size:130K  vishay
 si5938du.pdf pdf_icon

SI5935CDC

Si5938DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.039 at VGS = 4.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC ChipFET Package COMPLIANT - Small Footprint Area 0.055 at VGS = 1.8 V 6 - Low On-Resistance PowerPAK C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI5857DU, SI5858DU, SI5902BDC, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, IRF9540N, SI5936DU, SI5944DU, SI5980DU, SI5997DU, SI5999EDU, SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ