SI6435ADQ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI6435ADQ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI6435ADQ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI6435ADQ даташит
si6435adq.pdf
Si6435ADQ Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.030 at VGS = - 10 V 5.5 - 30 RoHS 0.055 at VGS = - 4.5 V 4.1 COMPLIANT S* G TSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common. D D 1 8 S S 2 7 Si6435ADQ S S 3 6 G D 4 5 D Top View P-Channel MO
si6435adq-t1.pdf
SI6435ADQ-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = - 4.5 V Available - 9.0 RoHS* 0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8 COMPLIANT 0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 S S 3
si6433dq.pdf
Si6433DQ Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.06 @ VGS = 4.5 V "4.0 12 12 0.09 @ VGS = 2.5 V "3.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 Si6433DQ S S 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Sy
si6436dq.pdf
Si6436DQ N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET Product Summary VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.045 @ VGS = 10 V "4.4 30 30 0.070 @ VGS = 4.5 V "3.5 D TSSOP-8 1 8 D D D *Source Pins 2, 3, 6 and 7 S 2 7 S must be tied common. Si6436DQ G S 3 6 S G 4 5 D Top View S* N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Sourc
Другие IGBT... SI5997DU, SI5999EDU, SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ, SI6423DQ, SI6433BDQ, 12N60, SI6443DQ, SI6459BDQ, SI6463BDQ, SI6465DQ, SI6466ADQ, SI6467BDQ, SI6469DQ, SI6473DQ
History: WST3423 | IRF9540PBF | SI6404DQ | SI5459DU | AP10N4R5S | E630 | 2SK3610-01
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor






