SI6435ADQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6435ADQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6435ADQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6435ADQ даташит

 ..1. Size:198K  vishay
si6435adq.pdfpdf_icon

SI6435ADQ

Si6435ADQ Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.030 at VGS = - 10 V 5.5 - 30 RoHS 0.055 at VGS = - 4.5 V 4.1 COMPLIANT S* G TSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common. D D 1 8 S S 2 7 Si6435ADQ S S 3 6 G D 4 5 D Top View P-Channel MO

 0.1. Size:864K  cn vbsemi
si6435adq-t1.pdfpdf_icon

SI6435ADQ

SI6435ADQ-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = - 4.5 V Available - 9.0 RoHS* 0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8 COMPLIANT 0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 S S 3

 9.1. Size:65K  vishay
si6433dq.pdfpdf_icon

SI6435ADQ

Si6433DQ Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.06 @ VGS = 4.5 V "4.0 12 12 0.09 @ VGS = 2.5 V "3.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 Si6433DQ S S 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Sy

 9.2. Size:53K  vishay
si6436dq.pdfpdf_icon

SI6435ADQ

Si6436DQ N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET Product Summary VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.045 @ VGS = 10 V "4.4 30 30 0.070 @ VGS = 4.5 V "3.5 D TSSOP-8 1 8 D D D *Source Pins 2, 3, 6 and 7 S 2 7 S must be tied common. Si6436DQ G S 3 6 S G 4 5 D Top View S* N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Sourc

Другие IGBT... SI5997DU, SI5999EDU, SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ, SI6423DQ, SI6433BDQ, 12N60, SI6443DQ, SI6459BDQ, SI6463BDQ, SI6465DQ, SI6466ADQ, SI6467BDQ, SI6469DQ, SI6473DQ