SI6954ADQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI6954ADQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
SI6954ADQ Datasheet (PDF)
si6954adq.pdf
Si6954ADQVishay SiliconixN-Channel 2.5-V (G-S) Battery SwitchFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs: 2.5 V Rated0.053 at VGS = 10 V 3.430RoHS0.075 at VGS = 4.5 V 2.9COMPLIANTD1 D2TSSOP-8D1 1 D28G1 G2S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETOrdering I
si6954dq.pdf
Si6954DQVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.065 @ VGS = 10 V "3.930300.095 @ VGS = 4.5 V "3.1D1 D2TSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6954DQ G1 G2S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-S
si6955dq.pdf
Si6955DQVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) RDS(ON) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 10 V "2.530300.19 @ VGS = 4.5 V "1.8S1 S2TSSOP-8D1 1 D D2 G1 G28S1 2 S27Si6955DQS1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)PARAMETER SYMBOL LIMIT UNI
si6956dq.pdf
Si6956DQVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.09 @ VGS = 10 V "2.520200.175 @ VGS = 4.5 V "1.8D1 D2TSSOP-8D1 1 D D28S1 2 S27Si6956DQ G1 G2S1 3 S26G1 4 G25Top ViewS1 S2N-Channel MOSFET N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-So
si6953dq.pdf
Si6953DQVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.17 @ VGS = 10 V "1.920200.32 @ VGS = 4.5 V "1.3S1 S2TSSOP-8D1 1 D D2 G1 G28S1 2 S27Si6953DQS1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit Uni
si6955adq.pdf
Si6955ADQVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs0.080 at VGS = - 10 V 2.9- 30RoHS0.135 at VGS = - 4.5 V 2.2COMPLIANTS1 S2G1 G2TSSOP-8D1 1 D28S1 2 S27Si6955ADQS1 3 S26G1 4 G25D1 D2Top ViewOrdering Information: Si6955ADQ-T1-GE3
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: AOD7S65
History: AOD7S65
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918