SI7138DP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI7138DP 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI7138DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI7138DP даташит
si7138dp.pdf
Si7138DP Vishay Siliconix N-Channel 60 V (D-S) Reduced Qgd, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0078 at VGS = 10 V 30 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 60 55 0.009 at VGS = 6 V 30 100 % Rg and Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/
si7137dp.pdf
New Product Si7137DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.00195 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET - 20 0.0025 at VGS = - 4.5 V - 60d 183 nC 100 % Rg Tested 0.0039 at VGS = - 2.5 V - 60d 100 % UIS Tested
si7136dp.pdf
Si7136DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0032 at VGS = 10 V 30 Ultra-Low On-Resistance Using High 20 24.5 Density TrenchFET Gen II Power 0.0045 at VGS = 4.5 V 30 MOSFET Technology PowerPAK SO-8 Qg Optimized 100 % Rg Tested
si7139dp.pdf
New Product Si7139DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0055 at VGS = - 10 V - 40d TrenchFET Power MOSFET - 30 49.5 nC 100% Rg Tested 0.0090 at VGS = - 4.5 V - 40d 100% UIS Tested PowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/
Другие IGBT... SI7120ADN, SI7120DN, SI7121ADN, SI7121DN, SI7123DN, SI7135DP, SI7136DP, SI7137DP, AON7403, SI7139DP, SI7141DP, SI7143DP, SI7145DP, SI7148DP, SI7149ADP, SI7149DP, SI7156DP
History: IRF7756G | UM6K31N | SI6404DQ | AP10N4R5S | MTA090N02KC3 | PMZ950UPEL | SI5484DU
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124





