SI7157DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7157DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 415 nC
trⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2470 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
SI7157DP Datasheet (PDF)
si7157dp.pdf
Si7157DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0016 at VGS = - 10 V - 60d Material categorization:For definitions of compliance please see- 20 0.0020 at VGS = - 4.5 V - 60d 202.5 nCwww.vishay.com/doc?999120.0032 at VGS
si7159dn.pdf
New ProductSi7159DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg TestedRoHS- 30 63 nCCOMPLIANT 100% UIS Tested0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30dPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook Battery ChargingS Notebook
si7153dn.pdf
Si7153DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen. III P-Channel power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0095 at VGS = -10 V -18 a Material categorization:-30 0.0120 at VGS = -6 V -18 a 31 nCFor definitions of compliance please see0.0150 at VGS = -4.5 V -18 awww.vi
si7156dp.pdf
Si7156DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0035 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET40 45 nC0.0047 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Synchronous RectificationS6.
si7159dp.pdf
New ProductSi7159DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg TestedRoHS- 30 63 nCCOMPLIANT 100% UIS Tested0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30dPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook Battery ChargingS Notebook
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918