IRFS340A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS340A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для IRFS340A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS340A даташит

 ..1. Size:226K  1
 irfs340a.pdf pdf_icon

IRFS340A

IRFS340A FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 0.437 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Character

 7.1. Size:185K  1
 irfs340.pdf pdf_icon

IRFS340A

 7.2. Size:676K  1
 irfs340b.pdf pdf_icon

IRFS340A

November 2001 IRFS340B 400V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 8A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast sw

 7.3. Size:282K  1
 irfs340 irfs341.pdf pdf_icon

IRFS340A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS252, IRFS253, IRFS254A, IRFS330, IRFS331, IRFS332, IRFS333, IRFS340, IRF3205, IRFS341, IRFS342, IRFS343, IRFS350, IRFS350A, IRFS351, IRFS352, IRFS353