IRFS342. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS342

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFS342

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS342 даташит

 8.1. Size:185K  1
 irfs340.pdf pdf_icon

IRFS342

 8.2. Size:676K  1
 irfs340b.pdf pdf_icon

IRFS342

November 2001 IRFS340B 400V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 8A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast sw

 8.3. Size:226K  1
 irfs340a.pdf pdf_icon

IRFS342

IRFS340A FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 0.437 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Character

 8.4. Size:282K  1
 irfs340 irfs341.pdf pdf_icon

IRFS342

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS254A, IRFS330, IRFS331, IRFS332, IRFS333, IRFS340, IRFS340A, IRFS341, IRF840, IRFS343, IRFS350, IRFS350A, IRFS351, IRFS352, IRFS353, IRFS430, IRFS431