IRFS342 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFS342
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFS342 Datasheet (PDF)
irfs340b.pdf

November 2001IRFS340B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast sw
irfs340a.pdf

IRFS340AFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON): 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Character
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRFS240A | P3004BD | IRFS632 | BSC252N10NSF | APM4500K | SIHFBC30A | AP4415GJ
History: IRFS240A | P3004BD | IRFS632 | BSC252N10NSF | APM4500K | SIHFBC30A | AP4415GJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent