IRFS343 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFS343
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для IRFS343
IRFS343 Datasheet (PDF)
irfs340b.pdf

November 2001IRFS340B400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 8A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast sw
irfs340a.pdf

IRFS340AFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON): 0.437 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Character
Другие MOSFET... IRFS330 , IRFS331 , IRFS332 , IRFS333 , IRFS340 , IRFS340A , IRFS341 , IRFS342 , 20N60 , IRFS350 , IRFS350A , IRFS351 , IRFS352 , IRFS353 , IRFS430 , IRFS431 , IRFS432 .
History: AM4929P | NCE65N460I | AM3940N | TSM2328CX | PMN55ENEA | VS3614AE | SE2333
History: AM4929P | NCE65N460I | AM3940N | TSM2328CX | PMN55ENEA | VS3614AE | SE2333



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor