Справочник MOSFET. SI7460DP

 

SI7460DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7460DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7460DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  vishay
si7460dp.pdfpdf_icon

SI7460DP

Si7460DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0096 at VGS = 10 V 18 TrenchFET Power MOSFETs600.012 at VGS = 4.5 V 16 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm ProfilePowerPAK SO-8 S6.15 mm 5.15 mm 1S

 9.1. Size:466K  vishay
si7465dp.pdfpdf_icon

SI7460DP

Si7465DPVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.064 at VGS = - 10 V - 5 TrenchFET Power MOSFET- 60 26 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.080 at VGS = - 4.5 V - 4.5Package with Low 1.07 mm ProfilePowerPAK SO-8 S6.15 mm 5.15 mm 1

 9.2. Size:468K  vishay
si7464dp.pdfpdf_icon

SI7460DP

Si7464DPVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.24 at VGS = 10 V 2.8 TrenchFET Power MOSFETs2000.26 at VGS = 6 V 2.7 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized For Fast SwitchingPowe

 9.3. Size:166K  vishay
si7463dp.pdfpdf_icon

SI7460DP

Si7463DPVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0092 at VGS = - 10 V - 18.6 TrenchFET Power MOSFETs- 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.014 at VGS = - 4.5 V - 15Package with Low 1.07 mm Profile Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.