SI7617DN datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI7617DN 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI7617DN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI7617DN даташит
si7617dn.pdf
New Product Si7617DN Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, g Qg (Typ.) Definition 0.0123 at VGS = - 10 V - 35 TrenchFET Power MOSFET - 30 20.5 nC 0.0222 at VGS = - 4.5 V - 35 100% Rg Tested 100% UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directi
si7619dn.pdf
New Product Si7619DN Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.021 at VGS = - 10 V - 24e - 30 15 nC 100 % Rg Tested 0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv
si7615cdn.pdf
Si7615CDN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET D 8 D 7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 V D 6 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 S S 3 S APPLICATIONS S 4 S 1 G
si7615dn.pdf
New Product Si7615DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET 0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested - 35a 62 nC 100 % UIS Tested 0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a
Другие IGBT... SI7495DP, SI7540ADP, SI7540DP, SI7601DN, SI7611DN, SI7613DN, SI7615ADN, SI7615DN, IRF1404, SI7619DN, SI7620DN, SI7621DN, SI7623DN, SI7625DN, SI7629DN, SI7633DP, SI7634BDP
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: JMSH0802ME
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852







