SI7658ADP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7658ADP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 810 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0022 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
SI7658ADP Datasheet (PDF)
si7658adp.pdf
New ProductSi7658ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0022 at VGS = 10 V 60gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 34 nC0.0028 at VGS = 4.5 V 60g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side Switch for DC/D
si7658ad.pdf
New ProductSi7658ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0022 at VGS = 10 V 60gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 34 nC0.0028 at VGS = 4.5 V 60g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side Switch for DC/D
si7658dp.pdf
Si7658DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0024 at VGS = 10 V 60gCOMPLIANT 100 % Rg Tested30 48.5 nC0.00325 at VGS = 4.5 V 60g 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-side Switch for DC/DC ConvertersS
si7652dp.pdf
Si7652DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 15 TrenchFET Power MOSFETs300.030 at VGS = 4.5 V 12 High-Efficient PWM Optimized 100 % Rg and UIS TestedPowerPAK SO-8DS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G
si7655adn.pdf
Si7655ADNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 0.75 mm 0.0036 at VGS = - 10 V - 40eProfile- 20 0.0048 at VGS = - 4.5 V - 40e 72 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0090 at VGS = - 2.5 V - 40e Materia
si7655dn.pdf
New ProductSi7655DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Small Size and Low 0.75 mm 0.0036 at VGS = - 10 V - 40eProfile- 20 0.0048 at VGS = - 4.5 V - 40e 72 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0085 at VGS = - 2.5 V - 40e
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
